近日，我國的SiC外延片實(shí)現了8英寸的突破——廈門(mén)大學(xué)成功實(shí)現了8英寸SiC同質(zhì)外延生長(cháng)。
廈門(mén)大學(xué)國產(chǎn)8英寸SiC外延片亮相
廈門(mén)大學(xué)成功實(shí)現了8英寸碳化硅同質(zhì)外延生長(cháng)，成為國內首家擁有并實(shí)現該項技術(shù)的機構；同時(shí)標志著(zhù)我國已掌握8英寸碳化硅外延生長(cháng)的相關(guān)技術(shù)。
據悉，該外延層厚度為12um，厚度不均勻性為2.3%；摻雜濃度為8.4×1015cm-3，摻雜濃度不均勻性＜7.5%；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜0.5cm-2。
廈門(mén)大學(xué)科研團隊負責人表示，該技術(shù)的實(shí)現是廈門(mén)大學(xué)與瀚天天成等單位產(chǎn)學(xué)研合作的成果，通過(guò)克服了8英寸襯底應力更大、更易開(kāi)裂、外延層厚度均勻性更難控制等問(wèn)題，成功實(shí)現了基于國產(chǎn)襯底的碳化硅同質(zhì)外延生長(cháng)。
瀚天天成一直致力于研發(fā)生產(chǎn)SiC外延片，其“6-8英寸SiC外延晶片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目”被列為廈門(mén)市2023年重點(diǎn)項目之一。根據該公告，2022年8月4日，瀚天天成以2610萬(wàn)元競得廈門(mén)市翔安區2022XG09-G工業(yè)用地，將在該地新增75條碳化硅外延晶片生產(chǎn)線(xiàn)（配套尾氣凈化器）、1套純水機組及其他生產(chǎn)設備，預計新增產(chǎn)能年產(chǎn)碳化硅外延晶片30萬(wàn)片。
昭和電工、東莞天域
8英寸SiC外延片相關(guān)進(jìn)展
除了廈門(mén)大學(xué)外，昭和電工與東莞天域在8英寸碳化硅外延片上也早有進(jìn)展：
●昭和電工8英寸SiC外延片開(kāi)始供樣
2022年9月，昭和電工宣布，他們已成功產(chǎn)出8英寸SiC外延片，并開(kāi)始提供樣品，采用的是自產(chǎn)的8英寸SiC襯底。
目前，昭和電工SiC外延片市場(chǎng)占有率居世界第一，并且一直致力于使用本公司的襯底進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，旨在擴大200mm SiC外延片的生產(chǎn)，建立穩定的供應體系，進(jìn)一步提高產(chǎn)品質(zhì)量。
●天域半導體建設全球首條8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線(xiàn)
2022年4月，松山湖管委會(huì )官網(wǎng)公布了《東莞市生態(tài)園2022年度土地征收成片開(kāi)發(fā)方案》征求意見(jiàn)稿。擬征收地塊面積6.316公頃，合計94.7畝，以建設天域半導體碳化硅外延材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目——碳化硅外延關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)及全球首條8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線(xiàn)的建設。
項目主要內容為新增產(chǎn)能達100萬(wàn)片/年的6英寸/8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線(xiàn)；8英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)；6英寸/8英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)和銷(xiāo)售。項目計劃2022年動(dòng)工，預計2025年竣工并投產(chǎn)。
來(lái)源：行家說(shuō)三代半