3月14日，三菱電機官網(wǎng)宣布，他們計劃建設新的晶圓廠(chǎng)，以加強SiC功率半導體的生產(chǎn)。
根據公告，三菱電機將在2021財年至2025財年向功率器件業(yè)務(wù)投資2600億日元（約合人民幣133億元），投資金額是之前宣布的投資計劃的兩倍。
其中，約1000億日元（約合人民幣51億元）將用于建造一個(gè)新的8英寸SiC晶圓廠(chǎng)，并增強相關(guān)的生產(chǎn)設施，以應對電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的擴張需求。
新的8英寸SiC晶圓廠(chǎng)渲染圖
據了解，三菱電機的新工廠(chǎng)將建在日本熊本縣，主要用于生產(chǎn)大直徑8英寸SiC晶圓，并通過(guò)引入具有最先進(jìn)節能性能的潔凈室設備，實(shí)現高效率生產(chǎn)。同時(shí)，三菱電機還將加強其6英寸SiC晶圓的生產(chǎn)設施，以進(jìn)一步擴大業(yè)務(wù)。
三菱電機早在1994年就開(kāi)始碳化硅技術(shù)的研發(fā)和應用，多年來(lái)他們已經(jīng)率先將碳化硅技術(shù)應用在了家電、工業(yè)設備、軌道車(chē)輛等領(lǐng)域。而這次建設新的產(chǎn)線(xiàn)，主要是為了進(jìn)軍新能源汽車(chē)市場(chǎng)。
從技術(shù)路線(xiàn)來(lái)看，根據三菱電機的公開(kāi)資料，他們已經(jīng)開(kāi)發(fā)了3代SiC MOSFET技術(shù)，前兩代為平面柵技術(shù)，而第三代有2個(gè)路線(xiàn)——內置SBD和溝槽柵MOSFET。
早在2019年9月，三菱電機便宣布開(kāi)發(fā)出了溝槽型SiC MOSFET，他們將之稱(chēng)為“MIT2-MOS”。
該架構采用多離子傾斜注入技術(shù), 實(shí)現了“低柵氧場(chǎng)強”和“低溝道電阻”，導通電阻1.84mΩcm2，擊穿電壓超過(guò)1500V。并且三菱電機還表示，這種架構無(wú)需特殊工藝，可生產(chǎn)性強。
來(lái)源：行家說(shuō)三代半