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導(dǎo)電型4H-SiC外延晶片

半絕緣型4H-SiC襯底片

襯底尺寸：4~6英寸

晶片厚度：500 μm ± 15 μm

電阻率：≥1E10 Ω·cm

用途：主要用于外延GaN高功率射頻器件，應(yīng)用于微波射頻領(lǐng)域。

導(dǎo)電型4H-SiC外延晶片

晶體尺寸：直徑4~6英寸

電阻率：≥1E10 Ω·cm

半絕緣型4H-SiC晶體

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Email：zhangjingyao@tankeblue.cn
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